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展會(huì)預(yù)告 | 6月13-15日 士蘭微電子誠(chéng)邀您參加SNEC 2024國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源展
2024.06.15

 展會(huì)預(yù)告  6月13-15日 士蘭微電子誠(chéng)邀您參加SNEC 2024國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源展.mp4

隨著能源需求的迅猛增長(zhǎng)和對(duì)環(huán)境問(wèn)題的關(guān)注，新能源光伏發(fā)電作為一種清潔、可再生、高效的能源形式，正逐漸成為世界范圍內(nèi)的主流能源之一；根據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2023年全球新增光伏裝機(jī)總量390GW，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)20%以上；預(yù)計(jì)2027年全球光伏新增裝機(jī)量將超過(guò)500GW。

隨著光伏行業(yè)日益發(fā)展，系統(tǒng)的可靠性和效率被制造商和客戶日益重視，SiC功率器件不僅能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，也能以較少的電能消耗，獲得更高的效率。SiC的高可靠性和高效率成為光伏系統(tǒng)的絕佳選擇，助力光伏系統(tǒng)小型化、輕量化、高效化。

士蘭微通過(guò)發(fā)揮IDM一體化優(yōu)勢(shì)，基于士蘭化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線，推出的1200V SiC芯片性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，并同時(shí)研發(fā)650V、1700V、2000V等電壓段高性能SiC MOSFET芯片，及包含TO-247B-4L、TO-263-7L、TOLL、D4等多種封裝形式，適配光伏儲(chǔ)能逆變器應(yīng)用場(chǎng)合。

作為國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）的企業(yè)之一，士蘭微電子本次將攜帶光伏應(yīng)用的SiC MOS、IGBT、DPMOS、SGT LVMOS等功率器件產(chǎn)品，參加6月13-15日，在上海國(guó)家會(huì)展中心舉行的“SNEC PV+ 第十七屆（2024）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源（上海）大會(huì)暨展覽會(huì)”，展位號(hào)6.1H-E230，歡迎大家來(lái)現(xiàn)場(chǎng)溝通交流。

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